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在微波領域中，混合集成電路實現高電壓和大電流傳輸的方法涉及多個方面。首先，多層共燒厚膜工藝是無源集成的主流技術，它允許更多的布線層，便于內埋元器件，提高組裝密度，并具有良好的高頻特性和高速傳輸能力。這種技術特別適合于需要高電壓和大電流的應用場景。

其次，LDO（線性穩壓器）技術也是一個關鍵因素。例如，AMS1117系列支持高達40V的輸入耐壓和高達1A的輸出電流，同時保持低靜態功耗和高輸出精度。這種類型的穩壓器能夠在不犧牲性能的情況下，有效地管理和調節高電壓和大電流。

此外，混合集成電路的設計還涉及到創新的微納集成電路和新型混合集成技術，這些技術能夠實現高功耗效率和電壓轉換比。這表明，通過采用先進的材料和技術，可以有效地解決高電壓和大電流傳輸的問題。

微波領域中混合集成電路實現高電壓和大電流傳輸主要依賴于多層共燒厚膜工藝、LDO穩壓器技術以及創新的微納集成電路和新型混合集成技術的應用。這些技術和方法共同作用，提高了集成電路的性能，使其能夠滿足微波領域對高電壓和大電流傳輸的需求。